Illumination method generating proximity field light, proximity field exposure method, and proximity field exposure device



【課題】近接場光がレジストに対して深くまで到達し、深いレジストパターンを形成することが可能となる近接場光を発生させる照明方法、近接場露光方法、および近接場露光装置を提供する。 【解決手段】マスク母材である透明基板上に波長サイズ以下の微小開口によるマスクパターンを有するマスク201に、照射光210を入射させ近接場光を発生させる照明方法であって、前記照射光により、前記透明基板と前記マスクパターンとの境界面を、該透明基板側から斜めに照明するようにして、近接場光を発生させる照明手段を構成する。 【選択図】 図2
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an illumination method generating a proximity field light capable of reaching a deep point of resist to form a deep resist pattern, and to provide a proximity field exposure method and a proximity field exposure device. <P>SOLUTION: In the illumination method generating a proximity field light by projecting an irradiation light 210 to a mask 201 having a mask pattern of micro openings not larger than the wavelength size on a mask base material, i.e. a transparent substrate, an illumination means generating the proximity field light is arranged to illuminate the boundary surface of the transparent substrate and the mask pattern with the irradiation light obliquely from the transparent substrate side. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI




Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)


Cited By (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2006255968-ASeptember 28, 2006Ricoh Co Ltd, 株式会社リコー画像処理装置、画像処理方法および画像処理プログラム
    JP-4627668-B2February 09, 2011株式会社リコー画像処理装置、画像処理方法および画像処理プログラム